布鲁克韦尔创新功率分立器件为现代功率设计带来了优势。几乎所有类型的二极管都是最小的分立器件，几乎所有设计都需要它们。 ZVS、FRD、开关、ESD/EMI 保护、肖特基、齐纳或 SiC 二极管可增强您的电源设计。中压和高压 Si-MOSFET 可用于已建立的电源设计。高达 1200V 的 SiC MOSFET 和二极管为设计人员提供了满足当前和未来电源设计需求的基础，从而实现更稳健、极高效率和小空间设计。许多产品可作为功率模块集成商的 KGD 或晶圆选项