GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST ED
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST ED
номер части
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST ED
Категории продукта
Книги, СМИ
производитель
EPC
Тип
TEXT GAN POWER DEVICES & APPS
Упаковка
-
Упаковка
Коробка
Статус ROHS
Yes
цена
USD $108.0000
техническая спецификация
количество
запрос цен
в наличии: 10
самый маленький : 25
несколько : 1
количество
Единая цена
цена
1
$108.0000
$108.0000
Похожие модели
GAN HEMT
NULL
射频器件-射频晶体管-GAN HEMT
氮化镓GaN
NULL
SiC/GaN-氮化镓GaN
GAN063-650WSA
安世-Nexperia
650 V、50 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用TO-247封装
GAN190-650EBE
安世-Nexperia
650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package
GAN080-650EBE
安世-Nexperia
650 V, 80 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package
GAN039-650NTBA
安世-Nexperia
650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用CCPAK1212i封装
GAN7R0-150LBE
安世-Nexperia
150 V, 7 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm Land Grid Array (LGA) package
GAN190-650FBE
安世-Nexperia
650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm package
GAN140-650EBE
安世-Nexperia
650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package
GAN140-650FBE
安世-Nexperia
650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm package
GAN039-650NTB
安世-Nexperia
650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用CCPAK1212i封装
GAN039-650NBBA
安世-Nexperia
650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用CCPAK1212封装
GAN041-650WSB
安世-Nexperia
650 V、35 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用TO-247封装
GAN039-650NBB
安世-Nexperia
650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET，采用CCPAK1212封装
GAN3R2-100CBE
安世-Nexperia
100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
GAN65R150
银河微-Galaxy
10A, 650V, N Channel, Small Signal MOSFETs
gANZ0017
Gotmic
Amplifiers
gANZ0032
Gotmic
Amplifiers
gANZ0012
Gotmic
Amplifiers
gANZ0033
Gotmic
Amplifiers
gANZ0031
Gotmic
Amplifiers
GAN-2A-12DG2
高登-Golden
功率继电器
GAN-H
高登-Golden
功率继电器
BM12N60GAN
明月-MingYue
MOS芯片
BM10N65GAN
明月-MingYue
MOS芯片
BM12N65GAN
明月-MingYue
MOS芯片
BM10N60GAN
明月-MingYue
MOS芯片
ZHL-100W-GAN
Mini-Circuits
Coaxial High Power Amplifier
R5F11AGGANB
瑞萨-Renesas
Bluetooth® Low Energy Microcontrollers for Smart Connectivity
MASTERGAN2
意法-ST
High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
R5F104EGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function, General Purpose Microcontrollers for Motor Control, Industrial and Metering Applications
MASTERGAN1
意法-ST
High power density half-bridge high voltage driver with two 650V enhancement mode GaN HEMT
R5F101BGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function Microcontrollers for General Purpose Applications
R5F104BGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function, General Purpose Microcontrollers for Motor Control, Industrial and Metering Applications
MASTERGAN3
意法-ST
High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
MASTERGAN5
意法-ST
High power density 600 V half-bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMTs
MASTERGAN1L
意法-ST
600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
VIPERGAN100
意法-ST
采用增强模式GaN HEMT的高级准谐振离线高压变换器
MASTERGAN4L
意法-ST
600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
R5F104GGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function, General Purpose Microcontrollers for Motor Control, Industrial and Metering Applications
MASTERGAN4
意法-ST
High power density 600V half bridge driver with two enhancement mode GaN power HEMT
R5F100EGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function Microcontrollers for General Purpose Applications
VIPERGAN65
意法-ST
采用增强模式GaN HEMT的高级准谐振离线高压变换器
VIPERGAN50
意法-ST
嵌入高压转换器的高级准谐振控制器和650V GAN HEMT
R5F100BGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function Microcontrollers for General Purpose Applications
R5F101EGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function Microcontrollers for General Purpose Applications
R5F100GGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function Microcontrollers for General Purpose Applications
R5F101GGANA
瑞萨-Renesas
Low Power, High Function Microcontrollers for General Purpose Applications
ZHL-50W-GAN+
Mini-Circuits
High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50Ω
ZHL-100W-GAN+
Mini-Circuits
High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50Ω
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
Покупка и запрос
Спецификация
Транспорт
техническая спецификация
ABLIC USA Inc. S-1132B33-I6T2U имеет аналогичные характеристики, свойства, параметры и детали, что и ABLIC USA Inc. S-1132B33-I6T2U.
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC
Ряд-
УпаковкаКоробка
Статус продуктаACTIVE
ТипBook
ЗаголовокGaN Power Devices and Applications
Авторы)Alex Lidow
ИздательJ.Wiley

Стоимость доставки


Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах может превышать 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовая стоимость доставки (посылка ≤0,5 кг или соответствующий объем) зависит от часового пояса и страны.


Способ рассылки


В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.


срок поставки


После отправки товара расчетное время доставки зависит от выбранного вами способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приведены сроки доставки для некоторых распространенных стран.

transport

GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST ED Связанная информация
горячие продажи запчастей
Связанные категории