IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) представляют собой многослойные полупроводниковые устройства с тремя выводами, которые могут выдерживать большие токи и имеют функции быстрого переключения. Они характеризуются типом, напряжением пробоя коллектор-эмиттер, током коллектора, импульсным током коллектора, VCE(ON), энергией переключения и зарядом затвора.